Parámetro Técnico
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id
2.1V @ 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
30 nC @ 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
660 pF @ 600 V
Disipación de potencia (Máx.)
113W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263-7
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
