Parámetro Técnico
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
49A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
60mOhm @ 17.6A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id
3.6V @ 4.84mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
59 nC @ 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1621 pF @ 400 V
Disipación de potencia (Máx.)
164W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TOLL
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerSFN
