Parámetro Técnico
Tecnología
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
19A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
-
Velocidad
No Recovery Time >500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
50 μA @ 650 V
Capacitancia según Vr, F
480pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-2 Isolated Tab
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-2 Isolated Tab
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃
