Parámetro Técnico
Tecnología
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
600 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
5A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.7 V @ 2 A
Velocidad
No Recovery Time >500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
Corriente - Fuga inversa a Vr
50 μA @ 600 V
Capacitancia según Vr, F
11pF @ 400V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252-2
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃
