Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
27 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2060 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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