Serie
STripFET II
STripFET III
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tube
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
80A (Tc)
80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V, 10V
5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 40A, 10V
5.7mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 250μA
1V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
27 nC @ 5 V
32 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2060 pF @ 25 V
2805 pF @ 25 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
110W (Tc)
95W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
I-PAK
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
;;2.jpg)
