Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
400 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
175mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
12Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
125 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)