Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
300 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
85mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
25Ohm @ 120mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
2.4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
50 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
360mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-236AB (SOT23)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3