TN2130K1-G
TN2130K1-G
Active
Descripción:  MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Fabricante:  Microchip Technology
Ficha de datos:   TN2130K1-G Ficha de datos
Precio histórico: $0.44000
En stock: 17300
TN2130K1-G vs TN2501N8-G
Serie
-
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Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Estado
Active
Active
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
300 V
18 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
85mA (Tj)
400mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V
1.2V, 3V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
25Ohm @ 120mA, 4.5V
2.5Ohm @ 200mA, 3V
Vgs(th) (máx) a Id
2.4V @ 1mA
1V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
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Vgs (máx.)
?0V
?0V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
50 pF @ 25 V
110 pF @ 15 V
Característica de FET
-
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Disipación de potencia (Máx.)
360mW (Tc)
1.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-236AB (SOT23)
TO-243AA (SOT-89)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-243AA