Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
16 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
1A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
-
Rds On (máx) @ Id, Vgs
450mOhm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
1.4V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
100 pF @ 12 V
Disipación de potencia (Máx.)
568mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-143
Paquete / Caja (carcasa)
TO-253-4, TO-253AA
