Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
6 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
84mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1.2V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
Disipación de potencia (Máx.)
270mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SC-70-6
Paquete / Caja (carcasa)
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
