Parámetro Técnico
Tecnología
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Configuración
GaNFET (Gallium Nitride)
Característica de FET
100V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1.7A, 500mA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA
Vgs(th) (máx) a Id
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
Potencia - Máx.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
9-BGA (1.35x1.35)
Paquete del dispositivo del proveedor
-
