Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tecnología
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
2 N-Channel (Half Bridge)
Configuración
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Característica de FET
100V
30V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1.7A, 500mA
10A (Ta), 40A (Ta)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Vgs(th) (máx) a Id
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
16pF @ 50V, 7pF @ 50V
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
-
Potencia - Máx.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Surface Mount
Surface Mount
Tipo de montaje
9-VFBGA
Die
Paquete / Caja (carcasa)
9-BGA (1.35x1.35)
Die
Paquete del dispositivo del proveedor
-
-
