Parámetro Técnico
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
-
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
Disipación de potencia (Máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Paquete del dispositivo del proveedor
-
Paquete / Caja (carcasa)
-
