Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
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Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
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Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
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Rds On (máx) @ Id, Vgs
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Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
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Característica de FET
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Disipación de potencia (Máx.)
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Temperatura de funcionamiento
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete / Caja (carcasa)
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