Parámetro Técnico
Configuración dirigida
Low-Side
Cantidad de controladores
1
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
4.7V ~ 18V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 2V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
6A, 6A
Tipo de entrada
Inverting, Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
-
Tiempo de subida/bajada
85ns, 85ns
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PDIP
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