Parámetro Técnico
Configuración dirigida
High-Side
Cantidad de controladores
1
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
12V ~ 26V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 4.2V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
1.5A, 2.3A
Tipo de entrada
Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
-
Tiempo de subida/bajada
130ns, 75ns (Max)
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
14-SO
