Parámetro Técnico
Configuración dirigida
Half-Bridge
Tipo de canal
Independent
Cantidad de controladores
2
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
10V ~ 20V
Voltaje lógico - VIL, VIH
1.1V, 1.9V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
290mA, 430mA
Tipo de entrada
Inverting, Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
600 V
Tiempo de subida/bajada
75ns, 35ns
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
