Parámetro Técnico
Configuración dirigida
High-Side or Low-Side
Tipo de canal
Synchronous
Cantidad de controladores
2
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
10V ~ 18V
Voltaje lógico - VIL, VIH
1V, 2.6V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
60mA, 130mA
Tipo de entrada
Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
600 V
Tiempo de subida/bajada
60ns, 20ns
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOP
