Parámetro Técnico
Tipo de memoria
Non-Volatile
Formato de la memoria
EEPROM
Organización de la memoria
256 x 8
Frecuencia de reloj
100 kHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
15ms
Voltaje de la fuente
2.7V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DIP
