Parámetro Técnico
Configuración dirigida
Low-Side
Cantidad de controladores
1
Tipo de compuerta
N-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
4.5V ~ 18V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 2V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
3A, 3A
Tipo de entrada
Inverting, Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
-
Tiempo de subida/bajada
13ns, 9ns
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
6-WDFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor
6-MicroFET (2x2)