Parámetro Técnico
Configuración dirigida
Low-Side
Cantidad de controladores
1
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
4.5V ~ 18V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
13A, 13A
Tipo de entrada
Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
-
Tiempo de subida/bajada
30ns, 32ns
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
8-VDFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DFN-S (6x5)
