Parámetro Técnico
Configuración dirigida
High-Side
Cantidad de controladores
1
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
12V ~ 36V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 2V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
-
Tipo de entrada
Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
-
Tiempo de subida/bajada
400ns, 400ns
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PDIP
