Parámetro Técnico
Tipo de memoria
Non-Volatile
Formato de la memoria
EERAM
Organización de la memoria
512 x 8
Frecuencia de reloj
1 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
1ms
Voltaje de la fuente
4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
