Parámetro Técnico
Configuración dirigida
Low-Side
Cantidad de controladores
1
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
8.5V ~ 35V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 3.5V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
30A, 30A
Tipo de entrada
Inverting, Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
-
Tiempo de subida/bajada
18ns, 16ns
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
28-SOIC
