Parámetro Técnico
Configuración dirigida
Low-Side
Cantidad de controladores
1
Tipo de compuerta
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
4.5V ~ 35V
Voltaje lógico - VIL, VIH
0.8V, 3V
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
14A, 14A
Tipo de entrada
Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
-
Tiempo de subida/bajada
25ns, 18ns
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja (carcasa)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-DIP
