Parámetro Técnico
Configuración dirigida
Half-Bridge
Tipo de canal
Synchronous
Cantidad de controladores
2
Tipo de compuerta
N-Channel MOSFET
Voltaje de la fuente
10.8V ~ 13.2V
Voltaje lógico - VIL, VIH
-
Corriente - salida pico (fuente, disipación)
1.25A, 2A
Tipo de entrada
Non-Inverting
Voltaje de nivel alto - Máx. (Autocargador)
36 V
Tiempo de subida/bajada
26ns, 18ns
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC-EP
