Parámetro Técnico
Tipo de memoria
Non-Volatile
Formato de la memoria
FRAM
Tecnología
FRAM (Ferroelectric RAM)
Organización de la memoria
256K x 16
Interfaz de memoria
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
110ns
Voltaje de la fuente
2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
44-TSOP II
