Parámetro Técnico
Formato de la memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Asynchronous
Organización de la memoria
512K x 8
Interfaz de memoria
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, página
10ns
Voltaje de la fuente
3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
44-TSOP2