Parámetro Técnico
Tecnología
2 N-Channel (Half Bridge)
Configuración
Silicon Carbide (SiC)
Característica de FET
1200V (1.2kV)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
640A (Tc)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
2.97mOhm @ 480A, 15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3.6V @ 160mA
Vgs(th) (máx) a Id
1590nC @ 15V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
43100pF @ 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
-
Potencia - Máx.
-40 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Chassis Mount
Paquete / Caja (carcasa)
Module
Paquete del dispositivo del proveedor
-
