Parámetro Técnico
Tecnología
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
21A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.5 V @ 6 A
Velocidad
No Recovery Time >500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
Corriente - Fuga inversa a Vr
20 μA @ 650 V
Capacitancia según Vr, F
393pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
4-PowerVQFN
Paquete del dispositivo del proveedor
4-QFN (8x8)
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃
