Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
350 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
365mA (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
3V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
6Ohm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
200 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-243AA (SOT-89)
Paquete / Caja (carcasa)
TO-243AA