Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
2.8A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
85mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
10 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
405 pF @ 10 V
Disipación de potencia (Máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23
Paquete / Caja (carcasa)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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