Parámetro Técnico
Tecnología
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
1200 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
4A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.8 V @ 4 A
Velocidad
No Recovery Time >500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
20 μA @ 1200 V
Capacitancia según Vr, F
302pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃
