Parámetro Técnico
Tecnología
2 P-Channel (Dual)
Configuración
Logic Level Gate
Característica de FET
30V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
2A
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
235mOhm @ 2A, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.5V @ 1mA
Vgs(th) (máx) a Id
2.4nC @ 5V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
190pF @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2W
Potencia - Máx.
150 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Surface Mount
Tipo de montaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOP
Paquete del dispositivo del proveedor
-
