Parámetro Técnico
Tecnología
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
650 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
10A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.55 V @ 10 A
Velocidad
No Recovery Time >500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
200 μA @ 600 V
Capacitancia según Vr, F
365pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:acoplamiento
175 ℃ (Max)
