Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
35A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
102mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
110 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2720 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja (carcasa)
TO-3P-3 Full Pack
