Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
75A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2350 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
