Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
9.6A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
520mOhm @ 7A, 10V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
38.4 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1000 pF @ 30 V
Disipación de potencia (Máx.)
2W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220F-3FS
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3 Full Pack