Parámetro Técnico
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
100 mA
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
Resistor - Base del emisor (R2)
1 kOhms
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce
30 @ 40mA, 5V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic
150mV @ 1.5mA, 30mA
Corriente - Corte de colector (Máx.)
100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición
180 MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja (carcasa)
3-XFDFN
Paquete del dispositivo del proveedor
DFN1006B-3
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