Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
61A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
11mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
64 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1720 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
91W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-262
Paquete / Caja (carcasa)
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
