Parámetro Técnico
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
1.7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 600μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.91 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
90 pF @ 50 V
Disipación de potencia (Máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
Die
Paquete / Caja (carcasa)
Die
