Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
150A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
38 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
5000 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
