Parámetro Técnico
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
10A (Ta), 46A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
10.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 250μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
30 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2007 pF @ 30 V
Disipación de potencia (Máx.)
2.5W (Ta), 71.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-251A
Paquete / Caja (carcasa)
TO-251-3 Stub Leads, IPak
