Parámetro Técnico
Tecnología
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Configuración
Logic Level Gate
Característica de FET
10.6V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80mA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
-
Rds On (máx) @ Id, Vgs
20mV @ 10μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
500mW
Temperatura de funcionamiento
Through Hole
Tipo de montaje
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PDIP
Paquete del dispositivo del proveedor
-
