Parámetro Técnico
Tecnología
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Configuración
Logic Level Gate
Característica de FET
10.6V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80mA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
14Ohm
Rds On (máx) @ Id, Vgs
10mV @ 20μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
30pF @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
500mW
Potencia - Máx.
0 ℃ ~ 70 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Surface Mount
Tipo de montaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC
Paquete del dispositivo del proveedor
-
