Parámetro Técnico
Tecnología
4 N-Channel, Matched Pair
Característica de FET
10.6V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
-
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
500Ohm @ 4.2V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
220mV @ 1μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
2.5pF @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
500mW
Potencia - Máx.
0 ℃ ~ 70 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Through Hole
Tipo de montaje
16-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete / Caja (carcasa)
16-PDIP
Paquete del dispositivo del proveedor
-
