Parámetro Técnico
Tecnología
2 N and 2 P-Channel Matched Pair
Característica de FET
10.6V
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40mA, 16mA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
75Ohm @ 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1V @ 10μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
10pF @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
500mW
Potencia - Máx.
0 ℃ ~ 70 ℃ (TJ)
Temperatura de funcionamiento
Through Hole
Tipo de montaje
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Paquete / Caja (carcasa)
14-PDIP
Paquete del dispositivo del proveedor
-
