Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
90A (Ta)
-
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V
-
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 50A, 5V
-
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 28mA
-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
33 nC @ 5 V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4523 pF @ 20 V
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Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
-
-
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
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Tipo de montaje
Surface Mount
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Paquete del dispositivo del proveedor
Die
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Paquete / Caja (carcasa)
Die
-
