Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tray
Tipo FET
N-Channel
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
15 V
60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25oC
3.4A (Ta)
1A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V
5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
30mOhm @ 1.5A, 5V
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V @ 1mA
2.5V @ 140μA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.93 nC @ 5 V
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
105 pF @ 6 V
22 pF @ 30 V
Característica de FET
-
-
Disipación de potencia (Máx.)
-
-
Temperatura de funcionamiento
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
Die
4-SMD
Paquete / Caja (carcasa)
Die
4-SMD, No Lead
